中国芯片取得突破进展：1纳米制造工艺瓶颈已攻克

  今天看了一份清华大学科技论坛的文章，这篇文章可以说让人心潮澎湃，为我的祖国科技进步感到骄傲。

  在科技发展的浪潮中，芯片无疑是最为耀眼的明星。不久前，全球最强手机采用了4nm制程工艺，而台积电和三星则是计划在未来推出更为先进的3nm或2nm芯片。而制造1nm芯片曾被认为是不可能完成的任务。因为传统电子芯片遇到了物理极限，但是现在一项突破性技术成果正将这个不可能变成可能。

  令人振奋的是这项技术所依赖的原材料几乎全部在中国。在经历了漫长而不懈的科研探讨后，国际顶尖科学家终于在1nm芯片的制造上取得了突破。这项技术的的秘密竟然蕴藏在一种名为“超铋”的半金属材料中，超铋拥有惊人的特性，可以大幅降低电阻并提高电流，使其性能几乎媲美传统硅芯片。这个突破意味着半导体1nm以下制程的极限挑战终将被攻破。引领全球半导体产业走向全新的高峰。

  而更令人振奋的是，中国竟然拥有丰富的铋资源，铋是一种稳定的金属元素，可以源源不断地被提炼，成为制造1nm芯片所不可缺少的关键原材料。虽然全球都有铋资源，但是全球33万吨的铋资源储量中，我国就占据近四分之三。这份天然宝藏将为中国在全球半导体产业中扬名立万提供坚实的支持。

  美国一直以来以技术霸权为后盾，禁止台积电等芯片厂商向华为代工高端的5G芯片，然而随着1nm芯片工艺的突破性进展，铋将成为下一代半导体的主要原理。中国也将成为世界上最大半导体芯片的供应国。这也意味着美国以及美国的跟班们，无法再以芯片为筹码对我国高科技产业发展施加压力。而且因为材料的需求，这帮人很可能会转而向我国求购材料及芯片，这样的角色转变，必将为我国在全球半导体行业拥有更多话语权铺平道路。